Farklı Al katkısına bağlı olarak simetrik ve asimetrik GaAlAs/GaAs yapılarının değişimi


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2021

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: HÜLYA BOYRAZ

Danışman: Emine Öztürk

Özet:

Bu çalışmada,  yapısından oluşan simetrik ve asimetrik tek kuantum kuyuları ile asimetrik çift kuantum kuyularının elektronik özellikleri (potansiyel yüksekliği, enerji özdeğer ve özfonksiyonları, olasılık yoğunlukları), sistemin ayarlanabilir fiziksel parametrelerinden olan Al katkısına bağlı olarak araştırılmıştır. Etkin kütle yaklaşımında, Schrödinger dalga denkleminin çözümüyle potansiyel profili belirlenen sistemin enerji seviyeleri ve dalga fonksiyonları hesaplanarak kuantum kuyularının elektronik özellikleri karşılaştırılmıştır. Elde edilen sonuçlara göre; ters parabol ve yarı ters parabol kuantum kuyularının elektronik özelliklerinin değişimi, sistemdeki Al katkısının değişimine daha duyarlıdır. Katkı oranına bağlı olarak sistemlerin elektronik yapılarının duyarlılığı, potansiyel yüksekliğini değiştiren Al katkısının amaca yönelik ayarlanabilir parametre biçiminde değerlendirilmesine olanak sağlar.

Çalışmaya ek olarak, Gaussian kuantum kuyusunun elektronik özellikleri, konsantrasyon oranı, çift güç parametresi ve Gaussian potansiyel aralığı gibi parametrelere bağlı olarak incelenmiştir. Tüm parametreler Gaussian kuantum kuyusunun elektronik özellikleri üzerinde etkilidir ve bu tür yapıların kullanıldığı yarıiletken cihazların tasarımında pratik bir öneme sahiptir.