Desenlendirilmiş safir alttaş üzerine farklı büyütme sürelerine sahip iki aşamalı yüksek sıcaklık GaN tabakasının MOCVD ile büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu

Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje, 2018 - 2019

Proje Türü: Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje
Başlama Tarihi: Haziran 2018
Bitiş Tarihi: Temmuz 2019

Proje Özeti

Önerilen projede desenlendirilmiş safir alttaş üzerine epitaksiyel olarak MOCVD (Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme) tekniği ile büyütülecek olan GaN epikristalinin büyütülmesi ve yapısal özelliklerinin incelenmesi hedeflenmektedir. III nitrat yarıiletken bileşiklerinin dalgaboyu spektrumunda UV’den yakın kızıl ötesi bölgeye kadar ki kısımda ışıma yapmasına olanak sağlayan yüksek enerjili yasak bant aralığına sahip olması nedeniyle son 20 yıldır hem araştırmacılar hem de sanayini için aranan malzemeler olmuştur. III nitrat yarıiletkenlerinden özellikle GaN yıllarca süren çalışmalar sonunda MOCVD tekniği ile başarılı bir şekilde üretilebilmesinin ardından bu tabakayı kullanarak aydınlatma teknolojisi için büyük bir öneme sahip olan mavi ışık yayan diyodun keşfi gerçekleşmiştir. Son yıllar da araştırmacıların yoğun çalışmaları ile bu materyalin birçok özelliği bilinmesine rağmen yeni kullanım alanları dolayısı ile halen yoğun olarak çalışılmaktadır. Bu sebeple sunulan proje önerisinde de belirtildiği üzere MOCVD tekniği yardımıyla yüksek kaliteye sahip GaN tabakası desenlendirilmiş safir alttaşı üzerine epitaksiyel olarak büyütülmesi planlanmaktadır. Büyütme sırasında yapının kalitesini etkileyen birçok büyüte koşulu mevcuttur. Bu proje önerisinde yüksek sıcaklık GaN tabakası farklı V/III oranına sahip iki kısma bölünecek ve büyütme sürelerinin etkileri araştırılacaktır. Proje süresi 12 ay olarak öngörülmektedir.