Yoğun lazer alanı altında GaInNAs/GaAs kuantum kuyularındaki donor safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri

---

Prof. Dr. FATİH UNGAN

Tez Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik, Türkiye

Tez Danışmanı: Esin Kasapoğlu

Tezin Onay Tarihi: 2010

Tezin Dili: Türkçe

Özet:

Bu çalışmanın ilk aşamasında külçe yarıiletkenler için k.p teorisi hakkında genel bilgiler verilmiştir. İkinci aşamasında yarıiletken kuantum kuyularının bant yapısı çoklu bant etkin kütle yaklaşımı (k.p teorisi) ile tanımlanarak çiftlenimli bantların sonlu elemanlar yöntemi (FEM) ile nasıl çözüleceği üzerinde durulmuştur. Sonlu elemanlar yöntemi ile Ga_xIn_1-xN_yAs_1-y /GaAs tek kuantum kuyusunun iletkenlik ve valans alt bant yapısı üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi hesaplanmıştır. Daha sonra Ga_xIn_1-xN_yAs_1-y /GaAs tek kuantum kuyusundaki safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri üzerine kuyu genişliği, azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi incelenmiştir. Son olarak da, farklı azot ve indiyum konsantrasyonları için Ga_xIn_1-xN_yAs_1-y /GaAs tek kuantum kuyusunun potansiyel profilleri, alt bant enerjileri ve donor safsızlık bağlanma enerjileri üzerine yoğun lazer alanının etkisi hesaplanmıştır.