GaInNAs/GaAs KUANTUM KUYULARINDA HİDROJENİK DÜZEYLER ARASINDA KIZILÖTESİ GEÇİŞLER

Tez Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tez Danışmanı: Hüseyin Sari

Tezin Onay Tarihi: 2014

Tezin Dili: Türkçe

Özet:

Bu çalışmada, ilk olarak yarıiletkenler, heteroyapılar ve seyreltik III-N-V yarıiletkenler ile ilgili genel bilgiler verilmiştir. Daha sonra, seyreltik III-N-V yarıiletken kuantum kuyularının iletim bant yapısının bant anti-crossing modeli ile nasıl çözüleceği üzerinde durulmuştur. Bu model ile 𝐺𝑎(1−𝑥)𝐼𝑛(𝑥)𝑁(𝑦)𝐴𝑠(1−𝑦)/𝐺𝑎𝐴𝑠 tek kuantum kuyusunun iletim bant yapısı üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi hesaplanarak 𝐺𝑎(1−𝑥)𝐼𝑛(𝑥)𝑁(𝑦)𝐴𝑠(1−𝑦)/𝐺𝑎𝐴𝑠 kuantum kuyusunun potansiyel profilleri ve alt-bant yapısı üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi incelenmiştir. 𝐺𝑎(1−𝑥)𝐼𝑛(𝑥)𝑁(𝑦)𝐴𝑠(1−𝑦)/𝐺𝑎𝐴𝑠 kuantum kuyusunda 1s, 2s, 2p0 ve 2p± donor safsızlık enerji düzeyleri üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi safsızlık atomunun konumu ve kuyu genişliğinin bir fonksiyonu olarak etkin kütle yaklaşımı çerçevesinde varyasyonel yöntemle incelenmiştir.