In-plane photoconductive properties in Si delta-doped GaAs structure
V. International Workshop on Low Dimensional Semiconductors: Physics and Devices; Scattering Mechanism and Device Performance, Antalya, Türkiye, 08 Eylül 1998, ss.27, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Basıldığı Şehir: Antalya
- Basıldığı Ülke: Türkiye
- Sayfa Sayıları: ss.27
- Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet