MOCVD İLE BÜYÜTÜLEN GE/INGAAS YAPISININ YÜKSEK ÇÖZÜNÜRLÜKLÜ X-IŞINI KIRINIMI İLE KARAKTERİZASYONU

KIZILBULUT A. A., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.

Adım Fizik Günleri III, Isparta, Türkiye, 17 Nisan 2014

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Isparta
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet