A Systematic Study of Mobility and Carrier Concentration with 0001 GaN Grown on c Sapphire by MOCVD


ALTUN D., bulut b., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.

TFD 30, 02 Eylül 2013

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet