Characteristic Diode Parameters of Thermally Annealed Ni n GaAs Schottky Contacts Over a Wide Measurement Temperature Range

TURUT A., YILDIRIM N., DOĞAN H.

IPCAP 2016, 25 - 27 Şubat 2016, (Özet Bildiri)

• Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
• Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet