Dependence on Well Widths of the Electronic Features of Triple GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs Quantum Wells
5th International Conference on Materials Science and Advanced-Nanotechnologies For Next Generation (MSNG-2018), Nevşehir, Türkiye, 4 - 06 Ekim 2018, ss.210, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Basıldığı Şehir: Nevşehir
- Basıldığı Ülke: Türkiye
- Sayfa Sayıları: ss.210
- Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet