ABC method analysis for the Capacitance Voltage characteristics ofNi n GaAS In schottky barrier diode

DOĞAN H., KOÇKANAT S., ÜNSAL ÇELİMLİ D. B.

NanoTR-12, 3 - 05 Haziran 2016, (Özet Bildiri)

• Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
• Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet