ABC method analysis for the Capacitance Voltage characteristics ofNi n GaAS In schottky barrier diode

DOĞAN H., KOÇKANAT S., ÜNSAL ÇELİMLİ D. B.

NanoTR-12, 3 - 05 Haziran 2016, (Özet Bildiri)

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet