Bu çalışmada, Schottky bariyer diyotları (SBD'ler) için termal tavlama işleminin modellenmesi ve tahmin edilmesi için uyarlanabilir ağ tabanlı bulanık çıkarım sisteminin (ANFIS) kullanılmasına yönelik bir yöntem önerilmiştir. Laboratuvar ortamında Ni/n-GaAs/In Schottky bariyer diyotlar üretildi ve Schottky kontaklar üzerinden diyotun gerilim ve akım parametreleri 2000 C’den 6000 C’e kadar 1000 C sıcaklık adımları kullanılarak ölçüldü. SBD kontaklarına ait gerilim, akım ve tavlama sıcaklığı parametreleri deneysel olarak elde edildi. Bu parametreler termal tavlama işleminin ana faktörleri olarak seçilmiştir. ANFIS sisteminin eğitimi için bu üç parametreyi içeren deneysel veriler kullanılmıştır. Deneysel verilerin eğitimi için genelleştirilmiş bell üyelik fonksiyonu içeren hibrit bir ANFIS modeli kullanıldı. Sonuçlara göre, Schottky bariyer diyotların tavlama sürecinin modellenmesinde önerdiğimiz ANFIS modeli verimli ve doğru sonuçlar vermiştir.
ÖZET: Bu çalışmada, Schottky bariyer diyotları (SBD'ler) için termal tavlama işleminin modellenmesi ve tahmin edilmesi için uyarlanabilir ağ tabanlı bulanık çıkarım sisteminin (ANFIS) kullanılmasına yönelik bir yöntem önerilmiştir. Laboratuvar ortamında Ni/n-GaAs/In Schottky bariyer diyotlar üretildi ve Schottky kontaklar üzerinden diyotun gerilim ve akım parametreleri 2000 C’den 6000 C’e kadar 1000 C sıcaklık adımları kullanılarak ölçüldü. SBD kontaklarına ait gerilim, akım ve tavlama sıcaklığı parametreleri deneysel olarak elde edildi. Bu parametreler termal tavlama işleminin ana faktörleri olarak seçilmiştir. ANFIS sisteminin eğitimi için bu üç parametreyi içeren deneysel veriler kullanılmıştır. Deneysel verilerin eğitimi için genelleştirilmiş bell üyelik fonksiyonu içeren hibrit bir ANFIS modeli kullanıldı. Sonuçlara göre, Schottky bariyer diyotların tavlama sürecinin modellenmesinde önerdiğimiz ANFIS modeli verimli ve doğru sonuçlar vermiştir.
