The Effect of Barrier Width on the Electronic Properties of Double GaAlAs / GaAs and GaInAs / GaAs Quantum Wells
4th International Conference on Materials Science and Advanced-Nanotechnologies For Next Generation (MSNG-2017), Saraybosna, Bosna-Hersek, 28 - 30 Haziran 2017, ss.43, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Basıldığı Şehir: Saraybosna
- Basıldığı Ülke: Bosna-Hersek
- Sayfa Sayıları: ss.43
- Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet