Depending on Al and In Concentration of The Electronic Properties of Asymmetric Double GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs Quantum Wells
4th International Conference on Engineering and Natural Sciences (ICENS-2018), Kiev, Ukrayna, 2 - 06 Mayıs 2018, ss.446, (Tam Metin Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
- Basıldığı Şehir: Kiev
- Basıldığı Ülke: Ukrayna
- Sayfa Sayıları: ss.446
- Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet