Elektrik ve eğik manyetik alan altında çoklu GaAs/Ga1−xAlxAs kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2019

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: VELİ AKTAŞ

Danışman: Rana Özbakır

Özet:

Bu çalışmada elektrik ve eğik manyetik alan altında GaAs/  yarıiletken heteroyapıdaki beş kuantum kuyusunun elektronik ve optik özellikleri incelendi. Etkin kütle yaklaşımı kullanılarak sistemi tanımlayan Schrödinger denkleminin analitik çözümü yapıldı. Elektrik ve eğik manyetik alan altındaki sistemin elektronik altbandlararası enerji geçişleri için kompakt yoğunluk matris yaklaşımıyla soğurma katsayıları (lineer, üçüncü dereceden lineer olmayan ve toplam) hesaplandı. Sistem üzerine gönderilen ışık şiddetinin büyüklüğü değiştirilerek doyma (saturasyon) yoğunluğu incelendi.