Safsızlık düzeyleri arasındaki kızılötesi geçişler üzerine elektrik alan etkisi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2015

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: YUNUS EMRE YILDIZ

Danışman: FATİH UNGAN

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmanın ilk aşamasında yarı iletkenler, düşük boyutlu sistemler ve seyreltik III-N-V yarıiletkenler hakkında genel bilgi verilmiştir. Daha sonra GaInNAs/GaAs tek kuantum kuyusundaki 1s, 2s and 2p± donor safsızlık enerji düzeyleri üzerine elektrik alan, azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi etkin kütle yaklaşımı çerçevesinde varyasyonel yöntemle incelenmiştir. Sonuçlar donor safsızlık atomunun konumu ve kuyu genişliğinin bir fonksiyonu olarak sunulmuştur.