İKİ BOYUTLU InGaAs/GaAs YAPISINDA ELEKTRONİK ENERJİLERE VE SAFSIZLIK BAĞLANMA ENERJİSİNE, BASINÇ, SICAKLIK VE YAPI PARAMETRELERİNİN ETKİSİ
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2024
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: YAĞMUR SOLAK
Danışman: Pınar Başer
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Parçacık hareketinin çeşitli boyutlarda kuşatılması ile elde edilen düşük boyutlu sistemler teorik ve deneysel araştırmacıların oldukça ilgisini çekmiştir. Taşıyıcı hareketinin tek boyutla kuşatılmış ve iki boyutta serbest olduğu, yarı iletken malzemeler kuantum kuyuları olarak bilinir. Bu yapılar ayarlanabilir bant aralığı, katkılama ve ayarlanabilir sıcaklık ve iletkenlik gibi özelliklerinden dolayı pek çok optoelektronik cihaz oldukça dikkat çeken yapılardır. Örneğin, THz fotodedektörler, infrared fotodedektörler, lazerler, heteroeklem bipolar transistörler gibi pek çok uygulama alanına sahiptirler. Kristal büyütme teknikleri ile üretilen III-V yarı iletkenlerinden InxGa1−xAs/GaAs kuantum kuyuları optoelektronik ve mikroelektronik uygulamalardaki özellikler bakımından oldukça dikkat çekicidir. Bu alaşımlar yüksek güçlü elektronik ve optoelektronik cihazların geliştirilmesinde önemli bir role sahiptir. Bu yarı iletkendeki parçacıklar çok yüksek hızlarda hareket eder ve taşıyıcıların femtosaniyelik ömrü onları cihaz tasarımları için oldukça tercih edilir. InGaAs'ın bant aralığı 0.36'dan 1.42 eV'ye (x= 0 ile 1 arasında ) kadar geniş bir aralığı kapsar. Bu nedenle fiber optik ve dedektör yapımı için bu malzeme grubu avantajlıdır. Hidrostatik basınç ve sıcaklık gibi yapıya uygulanan harici etkenler malzemenin optik ve elektronik özelliklerini ayarlamak ve incelemek için önemli bir termodinamik değişkendir. Bu motivasyonlabu tez kapsamında hidrostatik basınç ve sıcaklık etkisinin InxGa1−xAs/GaAs kare kuyu potansiyelindeki elektronların taban durum elektronik enerji düzeylerine ve safsızlık bağlanma enerjisine etkisi etkin kütle yaklaşımı altında hesaplandı.