AlGaN tabanlı morötesi ışık yayan diyotların çalışma prensibi, yapısı ve uygulama alanlarının araştırılması

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Nanoteknoloji Mühendisliği, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2019

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Göktürk TAN

Danışman: İlkay Demir

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu tez çalışmasında öncelikle III-nitrit morötesi yayıcıların teknoloji ve uygulamaları hakkında genel bir açıklama ve özet yapıldıktan sonra Alüminyum Nitrat alttaş üzerine yapılan büyüme ve özelliklerinden bahsedilecek daha sonrasında ise Al2O3 alttaş üzerine Alüminyum Galyum Nitrat taban katmanının VPE (Buhar Fazı Epitaksi) ile büyütülmesi anlatılacaktır. İlk olarak; giriş bölümünde yapılacak bilgilendirmeyi takiben ikinci bölümde AlN kristalinin tarihçesi ve özelliklerinden, PVT metodundan, çekirdek büyümesi ve kristalize genişlemeden, PVT yönteminde oluşan yapısal kusurlardan, safsızlıklar ve bunların sonuçlarından ve bunlardan yapılacak çıkarımlardan bahsedilecektir. Üçüncü bölümde ise Al(Ga)N tampon katmanın metalorganik buhar fazı epitaksisi ile büyütülmesinden, MOVPE(metalorganic vapor phase epitaxy) tekniklerinden, AlGaN katmanların (HVPE) hidrid buhar fazı epitaksisi ile üretiminden bahsedilecektir.