Katkısız ve azot katkılı NiO ince filmlerin magnetron söktürme ile büyütülmesi, yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2022

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: HİCRET HOPOĞLU

Danışman: Ebru Şenadım Tüzemen

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada, katkısız ve azot katkılı ince filmler farklı alttaşlar üzerine NiO hedefi kullanılarak farklı büyütme basıncı, farklı kalınlık, farklı alttaş sıcaklığı ve farklı miktarlarda azot katkısıyla RF magnetron söktürme yöntemi ile büyütülmüştür. Farklı büyütme şartlarında üretilmiş olan filmlerin kristal yapı, geçirgenlik ve enerji bant aralığı ayrıntılı olarak incelenmiştir. Bir p-tipi oksit yarıiletken olan Nikel oksit (NiO), çok yönlü ve ayarlanabilir özelliklerinden dolayı büyük ilgi görmektedir. Dirençli anahtarlama rastgele erişimli bellek cihazları ve son derece hassas ve seçici sensör uygulamaları dahil olmak üzere çok çeşitli elektronik uygulamalarında kritik malzemelerden biridir. Ek olarak geniş bant aralığından dolayı (NiO veya Ni(II) oksit, yüksek dirence, 3,6 – 4,0 eV'luk geniş bir bant aralığına sahiptir) NiO'yu yeni ortaya çıkan optoelektronik ve p-n heteroeklemlerde çalışmalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. NiO ince filmlerin özellikleri büyük ölçüde depolama yöntemine ve koşullarına bağlıdır.