ABC Artificial Bee Colony method analysis for the Capacitance Voltage characteristics of Ni n GaAS In schottky barrier diode

ÜNSAL ÇELİMLİ D. B., DOĞAN H., KOÇKANAT S.

NANOTR12, İzmit, Türkiye, 3 - 05 Haziran 2016

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: İzmit
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet