Defect Reduction in GaN Epilayer With Different V/III Ratio Grown On Patterned Sapphire Substrate

ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., KIZILBULUT A. A., Bulut B., ELAGÖZ S.

International Congress on Engineering and Architecture (ENAR-2018), 14 - 16 Kasım 2018

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet