Electronic characteristics of triple GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells depending on Al and In concentration
5th International Conference on Materials Science and Advanced-Nanotechnologies For Next Generation (MSNG-2018) , Nevşehir, Türkiye, 4 - 06 Ekim 2018, ss.308, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Basıldığı Şehir: Nevşehir
- Basıldığı Ülke: Türkiye
- Sayfa Sayıları: ss.308
- Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet