Comprehensive comparison of epitaxially grown GaN layer grown on conventional sapphire and patterned sapphire substrate

ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., KIZILBULUT A. A., Bulut B., ELAGÖZ S.

19th World Congress on Materials Science and Engineering, 11 - 13 Temmuz 2018, (Özet Bildiri)

• Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
• Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet