Depending on Al and In concentration of the electronic properties of asymmetric double GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells

Öztürk O., Öztürk E., Elagöz S.

4th International Conference on Engineering and Natural Sciences (ICENS-2018) , Kyyiv, Ukrayna, 2 - 06 Mayıs 2018, ss.630-635

  • Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Kyyiv
  • Basıldığı Ülke: Ukrayna
  • Sayfa Sayıları: ss.630-635
  • Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet