Depending on Al and In concentration of the electronic properties of asymmetric double GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells
4th International Conference on Engineering and Natural Sciences (ICENS-2018) , Kyyiv, Ukrayna, 2 - 06 Mayıs 2018, ss.630-635, (Tam Metin Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
- Basıldığı Şehir: Kyyiv
- Basıldığı Ülke: Ukrayna
- Sayfa Sayıları: ss.630-635
- Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet