ABC method analysis for the Capacitance Voltage characteristic of Ni n GaAS In schottky barrier diode

DOĞAN H., KOÇKANAT S., ÜNSAL ÇELİMLİ D. B.

12th International Nanoscience and Nanotechnology Conference, 3 - 05 Haziran 2016, (Tam Metin Bildiri)

  • Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
  • Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet