Structural Comparison of Epitaxially Grown GaN Layer on Conventional Sapphire and Patterned Sapphire Substrates

ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., KIZILBULUT A. A., BULUT B., ELAGÖZ S.

III International Conference on Engineering and Natural Science (ICENS), Budapest, Macaristan, 3 - 07 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Budapest
  • Basıldığı Ülke: Macaristan
  • Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Adresli: Evet