Prof. Dr. HÜLYA DOĞAN

Metrikler

Yayın

Yayın (WoS)

Yayın (Scopus)

Atıf (WoS)

228

H-İndeks (WoS)

Atıf (Scopus)

291

H-İndeks (Scopus)

Atıf (Diğer Toplam)

Proje

Tez Danışmanlığı

Açık Erişim

BM Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları

Yaptığı Tezler

2006

Doktora

Isıl olarak tavlanmış Ni/n-GaAs/In schottky diyotların deneysel karakteristiklerinin engel inhomojenlik modeline göre belirlenmesi

Atatürk Üniversitesi, Fen Fakültesi

2001

Yüksek Lisans

n-tipi GaAs yarı iletkeni üzerine oluşturulan Sn/n-Ga As kontak yapılarında arayüzey parametrelerinin belirlenmesi

Atatürk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik

Araştırma Alanları

Kaplama Teknolojileri

Nanomalzemeler

Fizik

Yoğun Madde 2:Elektronik Yapı, Elektrik, Manyetik ve Optik Özellikler

Temel Bilimler

Akademik Ünvanlar / Görevler

2024 - Devam Ediyor

Prof. Dr.

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühen.

2017 - 2024

Doç. Dr.

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühen.

2008 - 2017

Dr. Öğr. Üyesi

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühen.

Yönetimsel Görevler

2025 - Devam Ediyor

Fakülte Yönetim Kurulu Üyesi

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühen.

2024 - Devam Ediyor

Bölüm Başkanı

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühen.

2020 - Devam Ediyor

Anabilim/Bilim Dalı Başkanı

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühen.

2020 - 2023

Bölüm Başkanı

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühen.

2008 - 2020

Anabilim/Bilim Dalı Başkanı

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühen.

2008 - 2015

Bölüm Başkan Yardımcısı

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühen.

2011 - 2013

Farabi Programı Kurum Koordinatörü

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühen.

Akademi Dışı Deneyim

1997 - 2004

Öğretmenlik

Milli Eğitim Müdürlüğü, Dersane, Özel Okul, Öğretmenlik, Öğretmenlik

Verdiği Dersler

Yüksek Lisans

Yarıiletken Elektroniği

Uzmanlık Alan Dersi

Tez Çalışması

Lisans

Elektrik Elektronik Mühendisliğinin Temelleri-2

Elektrik Elektronik Müh. Malzeme Bilgisi

Elektromagnetik Alan Teorisi

Elektrik elektronik mühendisliğine giriş 2

Elektromanyetik Alan Teorisi

Bitirme Ödevi

Elektromagnetik Alan Teorisi

Bitirme Ödevi

Elektromagnetik Dalga Teorisi

Elektrik Elektronik Mühendisliği Malzeme Bilgisi

Elektrik Elektronik Müh. Malzeme Bilgisi

Elektromanyetik Dalga Teorisi

Elektromagnetik Dalga Teorisi

Bitirme Ödevi

Temel Elektrik Lab.

Mühendislik Projeleri

Sayısal Elektronik Laboratuarı

Malzeme Bilgisi

Genel Fizik II

Genel Fizik I

Yönetilen Tezler

2024

Yüksek Lisans

Organometalik ara katmanlı metal/yarıiletken schottky fotodiyotların elektriksel ve fotoelektriksel karakteristiklerinin deneysel ve optimizasyon teknikleri ile belirlenmesi

Doğan H., Şeker M. (Eş Danışman)

F.ZEHRA(Öğrenci)

2023

Yüksek Lisans

Dağıtım Şebekelerinde Optimizasyon Teknikleri Yardımıyla Şebeke Teknik Kayıplarının ve Gerilim Profillerinin İyileştirilmesi

Şeker M., DOĞAN H. (Eş Danışman)

S.KOCA(Öğrenci)

2022

Yüksek Lisans

Metal/ yarıiletken Schottky diyotlarının elektriksel karakteristiklerinin deneysel ve optimizasyon teknikleri ile belirlenmesi

Doğan H. (Danışman)

F.ZEHRA(Öğrenci)

2010

Yüksek Lisans

Metal/III-V yarıiletken schottky diyotların karakteristik parametrelerinin deneysel ve teorik olarak hesaplanması

Doğan H. (Danışman)

S.KOÇKANAT(Öğrenci)

Makaleler

2024

1. Schottky Bariyer Diyotlarında Termal Tavlama İşleminin ANFİS ile Modellenmesi

DOĞAN H.

Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi , cilt.14, ss.696-705, 2024 (Hakemli Dergi)

2024

2. Determination of Electrical and Optical Parameters of Schottky Diode with Metal Complex Interlayer

BAYAT F. Z., DOĞAN H., ŞEKER M.

Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi , 2024 (Hakemli Dergi)

2023

3. Next-Generation Application-Based Artificial Intelligence in Modeling and Estimation for Ni/n-GaAs/In Schottky Barrier Diode

DOĞAN H., KOÇKANAT S.

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science , cilt.220, sa.6, 2023 (SCI-Expanded)

2021

4. Modeling of Schottky diode characteristic by machine learning techniques based on experimental data with wide temperature range

TORUN Y., DOĞAN H.

Superlattices and Microstructures , cilt.160, 2021 (SCI-Expanded)

2018

5. CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF THERMALLY ANNEALED Ni/n-GaAs SCHOTTKY CONTACTS

Yıldırım N., Türüt A., Doğan H.

SURFACE REVIEW AND LETTERS , cilt.25, 2018 (SCI-Expanded)

2015

6. The interface state density characterization by temperature-dependent capacitance-conductance-frequency measurements in Au/Ni/n-GaN structures

Turut A., Dogan H., Yildirim N.

MATERIALS RESEARCH EXPRESS , cilt.2, 2015 (SCI-Expanded)

2015

7. Capacitance-conductance-frequency characteristics of Au/Ni/n-GaN/undoped GaN Structures

Doğan H., Yıldırım N., Orak I., Elagöz S., Türüt A.

PHYSICA B-CONDENSED MATTER , cilt.457, ss.48-53, 2015 (SCI-Expanded, Scopus)

2014

8. Temperature-dependent electrical transport properties of (Au/Ni)/n-GaN Schottky barrier diodes

Doğan H., Elagöz S.

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES , cilt.63, ss.186-192, 2014 (SCI-Expanded, Scopus)

2013

9. The parameter extraction of the thermally annealed Schottky barrier diode using the modified artificial bee colony

KARABOĞA N., KOÇKANAT S., DOĞAN H.

APPLIED INTELLIGENCE , cilt.38, sa.3, ss.279-288, 2013 (SCI-Expanded, Scopus)

2009

10. DEPENDENCE OF CHARACTERISTIC DIODE PARAMETERS IN Ni/n-GaAs CONTACTS ON THERMAL ANNEALING AND SAMPLE TEMPERATURE

Yildirim N., Dogan H., Korkut H., Turut A.

INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B , cilt.23, sa.27, ss.5237-5249, 2009 (SCI-Expanded, Scopus)

2009

11. Analysis of current-voltage-temperature characteristics and T0 anomaly in Cr/n-GaAs Schottky diodes fabricated by magnetron sputtering technique

Korkut H., Yildirim N., Turut A., Dogan H.

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology , cilt.157, ss.48-52, 2009 (SCI-Expanded, Scopus)

2008

12. Thermally annealed Ni/n-GaAs(Si)/In Schottky barrier diodes

DOĞAN H., YILDIRIM N., Turut A.

Microelectronic Engineering , cilt.85, sa.4, ss.655-658, 2008 (SCI-Expanded)

2007

13. Prediction of lateral barrier height in identically prepared Ni/n-type GaAs Schottky barrier diodes

Doğan H., Korkut H., Yıldırım N., Turut A.

Applied Surface Science , cilt.253, ss.7467-7470, 2007 (SCI-Expanded, Scopus)

2007

14. The conductance and capacitance-frequency characteristics of Au/pyronine-B/ptype Si/Al contacts

Cakar M., Yildirim N., Dogan H., Turut A.

APPLIED SURFACE SCIENCE , cilt.253, sa.7, ss.3464-3468, 2007 (SCI-Expanded)

2006

15. Determination of the characteristic parameters of Sn/n-GaAs/Al-Ge Schottky diodes by a barrier height inhomogeneity model

Doğan H., Yıldırım N., Turut A., Biber M., Ayyıldız E., Nuhoǧlu Ç.

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY , cilt.21, sa.6, ss.822-828, 2006 (SCI-Expanded)

Hakemli Bilimsel Toplantılarda Yayımlanmış Bildiriler

2025

1. Analysis of Current-Voltage and Capacitance-Voltage Characteristics in Inhomogeneous n-Si/Mo Schottky Diodes

Doğan H., Tokmanav S.

12th INTERNATIONAL CONFERENCE ON MATERIALS SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY FOR NEXT GENERATION , Sivas, Türkiye, 9 - 12 Ekim 2025, ss.65, (Özet Bildiri)

2023

2. Silisyum Tabanlı Metal/yarıiletken Fotodiyotların Elektriksel ve Fotoelektriksel Karakteristikleri

BAYAT F. Z., DOĞAN H.

International Scientific Research Congress Science and Engineering UBAK, Ankara, Türkiye, 16 Aralık 2023, (Özet Bildiri)

2022

3. Radyal Elektrik Dağıtım Sistemlerinde Gerilim Profillerinin İyileştirilmesi ve İletim Kayıplarının Azaltılması için Sistem Yapılandırmasına Bağlı Optimal Kapasitör Yerleşimi

Koca S., Şeker M., Doğan H.

IDAP-6th International Artificial Intelligence and Data Processing Symposium, Malatya, Türkiye, 8 - 09 Eylül 2022, ss.1-14, (Tam Metin Bildiri)

2022

4. MODELLING of Al/p-Si SCHOTTKY PHOTO DIODE with GAUSSIAN PROGRESS REGRESSION

DOĞAN H., TORUN Y.

7. ULUSLARARASI ZEUGMA BİLİMSEL ARAŞTIRMALAR KONGRESİ 21-23 Ocak 2022 Gaziantep, Gaziantep, Türkiye, 21 - 23 Ocak 2022, ss.258-259, (Özet Bildiri)

2018

5. Controlling The Distributed Energy Resources UsingSmart Grid Standards

ÜNSAL ÇELİMLİ D. B., DOĞAN H., TORUN Y., KOÇKANAT S.

International Conference on Innovative Engineering Applications 2018, Sivas, Türkiye, 20 - 22 Eylül 2018, ss.578-585, (Tam Metin Bildiri)

2017

6. INVESTIGATION OF CURRENT AND VOLTAGE FLUCTUATIONS INELECTRIC ARC FURNACES WITH THE HELP OF PROBABILITY THEORY

ŞEKER M., MEMMEDOV A., ÇIKAN M., DOĞAN H., KOÇKANAT S.

International Conference on AdvancedTechnology Sciences (ICAT 2017), İstanbul, Türkiye, 9 Mayıs - 12 Eylül 2017, (Özet Bildiri)

2017

7. DESIGN OF DIFFERENTIAL RELAY APPLICATION WITH MATLAB SIMULINK FOR PROTECTION OF TRANSFORMER IN ELECTRIC ARC FURNACE EAF LOADS

ŞEKER M., ÇIKAN M., ARİF M., KOÇKANAT S., DOĞAN H.

5th International Conference on Advanced Technology Sciences, 9 - 12 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)

2017

8. ELECTRICAL PARAMETER DETERMINATION OF AL P SI SCHOTTKY DIODE FROM I V AND C V CURVES USING MABC BASED METHOD

KOÇKANAT S., DOĞAN H., TÜRKAY Y., ÇIKAN M., ÜNSAL ÇELİMLİ D. B.

5th International Conference on Advanced Technology Sciences, 9 - 12 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)

2017

9. INVESTIGATION OF CURRENT AND VOLTAGE FLUCTUATIONS IN ELECTRIC ARC FURNACES WITH THE HELP OF PROBABILITY THEORY

ŞEKER M., MEMMEDOV A., ÇIKAN M., DOĞAN H., KOÇKANAT S.

5th International Conference on Advanced Technology Sciences, 9 - 12 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)

2017

10. ANNEALING TEMPERATURE DEPENDENT CHARACTERIZATION OF NI AU N GAN SCHOTTKY DIODE USING ARTIFICIAL BEE COLONY ALGORITHM

DOĞAN H., KOÇKANAT S., TÜRKAY Y., ŞEKER M., ÇIKAN M., ÜNSAL ÇELİMLİ D. B.

5th International Conference on Advanced Technology Sciences, 9 - 12 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)

2017

11. PHOTOELECTRICAL PARAMETER CALCULATION OF METAL ORGANIC INORGANIC PHOTO DIODE USING AN APPROACH BASED MABC ALGORITHM

DOĞAN H., KOÇKANAT S., TÜRKAY Y., ÇIKAN M., ÜNSAL ÇELİMLİ D. B.

5th International Conference on Advanced Technology Sciences, 9 - 12 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)

2017

12. CURRENT VOLTAGE CURVE PREDICTION OF ANNEALED NI N GAAS SI IN SCHOTTKY BARRIER DIODE USING ANFIS

KOÇKANAT S., DOĞAN H., TÜRKAY Y., ŞEKER M., ÜNSAL ÇELİMLİ D. B., ÇIKAN M.

5th International Conference on Advanced Technology Sciences, 9 - 12 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)

2017

13. DESIGN OF DIFFERENTIAL RELAY APPLICATION WITH MATLAB SIMULINK FOR PROTECTION OF TRANSFORMER IN ELECTRIC ARCFURNACE EAF LOADS

ŞEKER M., ÇIKAN M., MEMMEDOV A., KOÇKANAT S., DOĞAN H.

International Conference on AdvancedTechnology Sciences (ICAT 2017), İstanbul, Türkiye, 9 - 12 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)

2016

14. Electrical and Photovoltaic Characterization of Al Ru II p Si Heterojunction Structures

DOĞAN H., ORAK İ., YILDIRIM N.

NanoTR-12, 3 - 05 Haziran 2016, (Özet Bildiri)

2016

15. ABC method analysis for the Capacitance Voltage characteristics ofNi n GaAS In schottky barrier diode

DOĞAN H., KOÇKANAT S., ÜNSAL ÇELİMLİ D. B.

NanoTR-12, 3 - 05 Haziran 2016, (Özet Bildiri)

2016

16. The parameter extraction of Al Ruthenium II complex p Type Si Heterojunction diode using optimization method

ÜNSAL ÇELİMLİ D. B., DOĞAN H., KOÇKANAT S.

NANOTR12, 3 - 05 Haziran 2016, (Özet Bildiri)

2016

17. ABC Artificial Bee Colony method analysis for the Capacitance Voltage characteristics of Ni n GaAS In schottky barrier diode

ÜNSAL ÇELİMLİ D. B., DOĞAN H., KOÇKANAT S.

NANOTR12, İzmit, Türkiye, 3 - 05 Haziran 2016, (Özet Bildiri)

2016

18. ABC method analysis for the Capacitance Voltage characteristic of Ni n GaAS In schottky barrier diode

DOĞAN H., KOÇKANAT S., ÜNSAL ÇELİMLİ D. B.

12th International Nanoscience and Nanotechnology Conference, 3 - 05 Haziran 2016, (Tam Metin Bildiri)

2016

19. Characteristic Diode Parameters of Thermally Annealed Ni n GaAs Schottky Contacts Over a Wide Measurement Temperature Range

TURUT A., YILDIRIM N., DOĞAN H.

IPCAP 2016, 25 - 27 Şubat 2016, (Özet Bildiri)

2016

20. Fabrication and Electrical Characterization of Al n ZnO p Si Al Heterojunction Diode

DOĞAN H., ŞENADIM TÜZEMEN E., DUMAN S.

IPCAP 2016 (Internatinal physics conference at the anatolian peak), 25 - 27 Şubat 2016

2014

21. Capacitance–Voltage Characteristics Of Ni/Au/n-GaN Contacts

Doğan H.

International Semiconductor Science and Technology Conference-2014, İstanbul, Türkiye, 13 Ocak 2014, ss.2014, (Özet Bildiri)

2011

22. Parameter determination of the Schottky barrier diode using by artificial bee colony algorithm

KARABOĞA N., KOÇKANAT S., DOĞAN H.

2011 International Symposium on INnovations in Intelligent SysTems and Applications, INISTA 2011, Istanbul-Kadikoy, Türkiye, 15 - 18 Haziran 2011, ss.6-10, (Tam Metin Bildiri)

Kitaplar

2022

1. Metal/Yarıiletken Kontaklar

Doğan H.

Fen Bilimleri matematikte araştırma ve değerlendirmeler, Alparslan Dayangaç,Hasan Akgül, Editör, Gece Kitaplığı, Ankara, ss.313-331, 2022

2012

2. Estimation of neutron irradiation damages in Ni/n-GaAs Schottky contact layers via FLUKA Monte Carlo simulations

Doğan H.

Transworld Research Network, Turgay Korkut, Editör, Nuclear Science and Technology, Karnul, ss.51-58, 2012

Desteklenen Projeler

2022 - 2023

Dört Rotorlu Döner Kanatlı İnsansız Hava Aracının Afet Yönetimi için Tasarımı ve Kontrolü

Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje , BAP Diğer

Doğan H. (Yürütücü)

2016 - 2019

Metal Organik inorganik fotodiyot yapıların elektriksel ve fotovoltaik parametrelerinin deneysel ve ABC Artifical Bee Colony optimizasyon yöntemi ile hesaplanması ve karşılaştırılması

Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje , BAP Araştırma Projesi

Doğan H. (Yürütücü)

2010 - 2015

Metal Organik Kimyasal Buhar Depolama yöntemiyle üretilen GaN ve AlN ince filmlerinin optik geçirgenlik ve soğurma katsayılarının incelenmesi

Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje , BAP Diğer

Doğan H., Şenadım Tüzemen E.(Yürütücü)

2006 - 2009

Nanometre kalınlıklı reaktif metal III V yarıiletken kontakların potansiyel engelinin ısıl tavlamaya ve numune sıcaklığına bağlılığı ve bu yapıların MESFET ve MOSFET devre elemanlarındaki kullanılabilirliliğinin araştırılması

TÜBİTAK Projesi , 1001 - Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı

(Proje Sonuç Raporu)

Doğan H., Türüt A.(Yürütücü)

Bilimsel Dergilerdeki Faaliyetler

2020 - Devam Ediyor

Turkish Journal of Engineering and Environmental Sciences

Editörler Kurulu Üyesi

Bilimsel Yayınlarda Hakemlikler

Ocak 2022

AVRUPA BİLİM VE TEKNOLOJİ DERGİSİ

Hakemli Bilimsel Dergi

Ağustos 2020

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS

SCI Kapsamındaki Dergi

Nisan 2020

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS

SCI Kapsamındaki Dergi

Şubat 2020

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS

SCI Kapsamındaki Dergi

Bilimsel Projelerde Hakemlikler

Haziran 2020

Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje

BAP Araştırma Projesi, Bingöl Üniversitesi, Türkiye

Nisan 2017

Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje

BAP Y.Lisans, Bingöl Üniversitesi, Türkiye

Burslar

2006 - 2009

Nanometre kalınlıklı reaktif metal III V yarıiletken kontakların potansiyel engelinin ısıl tavlamaya ve numune sıcaklığına bağlılığı ve bu yapıların MESFET ve MOSFET devre elemanlarındaki kullanılabilirliliğinin araştırılmas