Metrikler
Yayın
101
Açık Erişim
2
BM Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Eğitim Bilgileri
2013 - 2018
2013 - 2018Doktora
Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye
2009 - 2013
2009 - 2013Yüksek Lisans
Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye
2005 - 2009
2005 - 2009Lisans
Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye
Yaptığı Tezler
2018
2018Doktora
Safir alttaş üzerine mavi LED yapısının büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu
Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik
2013
2013Yüksek Lisans
Safir alttaş üzerine büyütülen GaN heteroyapılarının Hall sistemi ile elektriksel karakterizasyonu.
Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü
Yabancı Diller
C1 İleri
C1 İleriİngilizce
Araştırma Alanları
Temel Bilimler
Mühendislik ve Teknoloji
Akademik Ünvanlar / Görevler
2022 - Devam Ediyor
2022 - Devam EdiyorDoç. Dr.
Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Nanoteknoloji Mühendisliği
2018 - 2022
2018 - 2022Dr. Öğr. Üyesi
Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Nanoteknoloji Mühendisliği
2011 - 2018
2011 - 2018Araştırma Görevlisi
Yönetimsel Görevler
2021 - Devam Ediyor
2021 - Devam EdiyorÜniversite Yönetim Kurulu Üyesi
2021 - Devam Ediyor
2021 - Devam EdiyorMerkez Müdür Yardımcısı
2018 - 2022
2018 - 2022Erasmus Programı Kurum Koordinatörü
Verdiği Dersler
Lisans
Lisans
Nanomalzemelerde Karakterizasyon Yöntemleri - I
Mühendisler için Karmaşık Analiz (İngilizce)
Mühendisler için Termodinamik - I (İngilizce)
İş Güvenliği ve Sağlığı
Düşük Boyutlu Sistemler
Nanomalzemelerde Karakterizasyon Yöntemleri - II
Nanomalzemelerin Üretim Yöntemleri - II
İş Sağlığı ve Güvenliği - I
Mühendisler için Termodinamik - II(İngilizce)
Makaleler
Tümü (43)
SCI-E, SSCI, AHCI (39)
SCI-E, SSCI, AHCI, ESCI (40)
ESCI (1)
Scopus (39)
TRDizin (4)
2025
20251. MOVPE growth and optimization of InxAl1-xAs layers on InP for high-performance quantum cascade lasers
Badreddine S., DEMİR İ., Abir H., Hélène C., Nur Kocak M., Ismail A., et al.
Applied Physics B: Lasers and Optics
, cilt.131, sa.11, 2025 (SCI-Expanded)
2025
20252. Predicting optical properties of NiO films fabricated by RF magnetron sputtering: A machine learning approach
YÜKSEK A. G., Horoz S., ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., Tüzemen E.
Optik
, cilt.321, 2025 (SCI-Expanded)
2025
20253. Enhancing the Crystal Quality of AlN Thin Films on Patterned Sapphire Substrates Using Temperature-Modulated Growth in the PALE Technique
Özbakir F., ALTUNTAŞ İ.
Arabian Journal for Science and Engineering
, 2025 (SCI-Expanded, Scopus)
2024
20244. Characterization of SiNx grown at different nitrogen flow and prediction of refractive index using artificial neural networks
YÜKSEK A. G., Horoz S., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ŞENADIM TÜZEMEN E.
Physica B: Condensed Matter
, cilt.695, 2024 (SCI-Expanded, Scopus)
2024
20245. Effect of substrate temperature on Raman study and optical properties of GeOx/Si thin films
Baghdedi D., Hopoğlu H., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., Abdelmoula N., Tüzemen E.
Journal of the Australian Ceramic Society
, cilt.60, sa.2, ss.591-599, 2024 (SCI-Expanded)
2024
20246. Electrical characteristics of Al/AlGaAs/GaAs diode with high-Al concentration at the interface
Gullu H., Yıldız D., Yıldırım M., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
, cilt.35, sa.2, 2024 (SCI-Expanded, Scopus)
2023
20237. Modeling of temperature-dependent photoluminescence of GaN epilayer by artificial neural network
Tüzemen E., YÜKSEK A. G., DEMİR İ., Horoz S., ALTUNTAŞ İ.
Journal of the Australian Ceramic Society
, cilt.59, sa.5, ss.1145-1159, 2023 (SCI-Expanded)
2023
20238. Influence of Highly Efficient Carbon Doping on AlxGa1−xAs Layers with Different Al Compositions (x) Grown by MOVPE
Perkitel I., Kekül R., ALTUNTAŞ İ., GÜR E., DEMİR İ.
Journal of Electronic Materials
, cilt.52, sa.9, ss.6042-6051, 2023 (SCI-Expanded)
2023
20239. Investigating the optical, electronic, magnetic properties and DFT of NiO films prepared using RF sputtering with various argon pressures
Hopoğlu H., KAYA D., Maslov M. M., KAYA S., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., et al.
Physica B: Condensed Matter
, cilt.661, 2023 (SCI-Expanded)
2023
202310. Comprehensive growth and characterization study of GeOx/Si
Baghdedi D., Hopoğlu H., SARITAŞ S., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., Abdelmoula N., et al.
Journal of Molecular Structure
, cilt.1274, 2023 (SCI-Expanded, Scopus)
2023
202311. High-quality AlN growth: a detailed study on ammonia flow
Yolcu G., Koçak M. N., Ünal D. H., ALTUNTAŞ İ., Horoz S., DEMİR İ.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
, cilt.34, sa.4, 2023 (SCI-Expanded)
2023
202312. Experimental insights toward carrier localization in in-rich InGaAs/InP as candidate for SWIR detection: Microstructural analysis combined with optical investigation
Ben Arbia M., DEMİR İ., Kaur N., Saidi F., Zappa D., Comini E., et al.
Materials Science in Semiconductor Processing
, cilt.153, 2023 (SCI-Expanded, Scopus)
2022
202213. In-situ thermal cleaning of the sapphire substrate and temperature effect on epitaxial AlN
Kocak M. N., Yolcu G., Horoz S., ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ.
VACUUM
, cilt.205, 2022 (SCI-Expanded)
2022
202214. Determination of Optical Properties of MOVPE-Grown InxGa1-xAs/InP Epitaxial Structures by Spectroscopic Ellipsometry
Kaynar E., Sayrac M., Altuntas I., Demir I.
BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS
, cilt.52, sa.5, 2022 (SCI-Expanded)
2022
202215. In-situ and ex-situ face-to-face annealing of epitaxial AlN
Kocak M. N., Purlue K. M., Perkitel I., ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ.
VACUUM
, cilt.203, 2022 (SCI-Expanded)
2022
202216. The influence of TMGa pre-flow time and amount as surfactant on the structural and optical properties of AlN epilayer
Yolcu G., Simsek I., Kekul R., Altuntaş İ., Horoz S., Demir İ.
MICRO AND NANOSTRUCTURES
, cilt.168, 2022 (SCI-Expanded)
2022
202217. Optical and nano-mechanical characterization of c-axis oriented AlN film
Panda P., Rajagopalan R., Tripursundari S., ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ.
Optical Materials
, cilt.129, 2022 (SCI-Expanded)
2022
202218. Growth and characterization of PALE Si-doped AlN on sapphire substrate by MOVPE
Purlu K. M., Kocak M. N., Yolcu G., Perkitel I., Altuntaş İ., Demir İ.
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
, cilt.142, 2022 (SCI-Expanded)
2022
2022
19.
Systematic optical study of high-x InxGa1-xAs/InP structures for infrared photodetector applications & nbsp;
Badreddine S., Joshya R. S., DEMİR İ., Faouzi S., ALTUNTAŞ İ., Lagarde D., et al.
OPTICS AND LASER TECHNOLOGY
, cilt.148, 2022 (SCI-Expanded)
2022
202220. Theoretical analyses of the carrier localization effect on the photoluminescence of In-rich InGaAs layer grown on InP
Smiri B., DEMİR İ., Saidi F., ALTUNTAŞ İ., Hassen F., Maaref H., et al.
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
, cilt.140, 2022 (SCI-Expanded)
2022
202221. The effect of Si (111) substrate surface cleaning on growth rate and crystal quality of MOVPE grown AlN
Perkitel İ., Altuntaş İ., Demir İ.
GAZI UNIVERSITY JOURNAL OF SCIENCE
, cilt.35, sa.1, ss.281-291, 2022 (ESCI)
2021
202122. ZnO/Al2O3 layered structures deposited by RF magnetron sputtering on glass: growth characteristics, optical properties, and microstructural analysis
ŞENADIM TÜZEMEN E., ÖZER A., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ŞİMŞİR M.
JOURNAL OF THE AUSTRALIAN CERAMIC SOCIETY
, cilt.57, sa.5, ss.1379-1388, 2021 (SCI-Expanded, Scopus)
2021
202123. Combined effects of electric, magnetic, and intense terahertz laser fields on the nonlinear optical properties in GaAs/GaAlAs quantum well with exponentially confinement potential
Altuntas İ., Dakhlaoui H., Mora-Ramos M. E., Ungan F.
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS
, cilt.136, sa.11, 2021 (SCI-Expanded)
2021
202124. Arsine Flow Rate Effect on the Low Growth Rate Epitaxial InGaAs Layers
Demir I., Altuntas İ., Elagoz S.
SEMICONDUCTORS
, cilt.55, sa.10, ss.816-822, 2021 (SCI-Expanded)
2021
202125. Nucleation layer temperature effect on AlN epitaxial layers grown by metalorganic vapour phase epitaxy
Simsek I., Yolcu G., Kocak M., Purlu K., ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ.
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
, cilt.32, sa.20, ss.25507-25515, 2021 (SCI-Expanded)
2021
202126. Effects of applied external fields on the nonlinear optical rectification, second, and third harmonic generation in a quantum well with exponentially confinement potential
Altuntas İ.
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B
, cilt.94, sa.9, 2021 (SCI-Expanded)
2021
202127. Numerical simulation of linear and nonlinear optical properties in heterostructure based on triple Gaussian quantum wells: effects of applied external fields and structural parameters
Dakhlaoui H., Altuntas İ., Mora-Ramos M. E., Ungan F.
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS
, cilt.136, sa.8, 2021 (SCI-Expanded)
2021
202128. Influence of the PALE growth temperature on quality of MOVPE grown AlN/Si (111)
ALTUNTAŞ İ., Kocak M. N., Yolcu G., BUDAK H. F., KASAPOĞLU A. E., Horoz S., et al.
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
, cilt.127, 2021 (SCI-Expanded)
2021
202129. The GaN Epilayer Grown by MOVPE: Effect of The Different Nucleation Layer Temperatures
ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
International Journal of Innovative Engineering Applications
, cilt.5, sa.1, ss.6-10, 2021 (Hakemli Dergi)
2021
202130. XRD and photoluminescence measurements of GaN grown on dome shaped patterned sapphire with different NH3 flow rates
ALTUNTAŞ İ.
Cumhuriyet Science Journal
, cilt.42, 2021 (TRDizin)
2020
202031. Optical and structural properties of In-rich InxGa1−xAs epitaxial layers on (1 0 0) InP for SWIR detectors
Smiri B., Ben Arbia M., Ilkay D., Saidi F., Othmen Z., Dkhil B., et al.
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology
, cilt.262, 2020 (SCI-Expanded)
2019
201932. Distributed contact flip chip InGaN/GaN blue LED; comparison with conventional LEDs
Genc M., Sheremet V., Elci M., Kasapoglu A. E., Altuntas İ., Demir İ., et al.
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
, cilt.128, ss.9-13, 2019 (SCI-Expanded, Scopus)
2018
201833. Microstructural Evolution of MOVPE Grown GaN by the Carrier Gas
Demir İ., Altuntas İ., Kasapoglu A. E., Mobtakeri S., Guer E., Elagoz S.
SEMICONDUCTORS
, cilt.52, sa.16, ss.2030-2038, 2018 (SCI-Expanded)
2018
201834. Comprehensive growth and characterization study on highly n-doped InGaAs as a contact layer for quantum cascade laser applications
DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., Bulut B., Ezzedini M., ERGÜN Y., ELAGÖZ S.
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
, cilt.33, sa.5, 2018 (SCI-Expanded, Scopus)
2018
201835. InGaN stress compensation layers in InGaN/GaN blue LEDs with step graded electron injectors
Sheremet V., Gheshlaghi N., Sozen M., Elci M., Sheremet N., Aydinli A., et al.
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
, cilt.116, ss.253-261, 2018 (SCI-Expanded)
2018
201836. Simulation of Highly Reflective GaN/AlxGa1-xN Distributed Bragg Reflector Structure for UV-Blue LEDs
Alaydin B. Ö., Altuntas İ., Tuzemen E., Elagoz S.
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS
, cilt.13, sa.3, ss.387-393, 2018 (SCI-Expanded)
2018
201837. The effects of two-stage HT-GaN growth with different V/III ratios during 3D-2D transition
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., KASAPOĞLU A. E., Mobtakeri S., GÜR E., ELAGÖZ S.
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
, cilt.51, sa.3, 2018 (SCI-Expanded)
2018
201838. Two-step passivation for enhanced InGaN/GaN light emitting diodes with step graded electron injectors
Sheremet V., Genc M., Gheshlaghi N., Elci M., Sheremet N., Aydinli A., et al.
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
, cilt.113, ss.623-634, 2018 (SCI-Expanded)
2017
201739. The role of ITO resistivity on current spreading and leakage in InGaN/GaN light emitting diodes
Sheremet V., Genc M., Elci M., Sheremet N., Aydinli A., Altuntas İ., et al.
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
, cilt.111, ss.1177-1194, 2017 (SCI-Expanded)
2017
201740. Growth kinetics of O-polar BexMgyZn1-x-yO alloy: Role of Zn to Be and Mg flux ratio as a guide to growth at high temperature
Ullah M. B., Avrutin V., Nakagawara T., Hafiz S., Altuntas İ., Ozgur U., et al.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
, cilt.121, sa.18, 2017 (SCI-Expanded)
2016
201641. The hydrostatic pressure and temperature effects on hydrogenic impurity binding energies in GaAs/InxGa1-xAs/GaAs square quantum well
Baser P., Altuntas İ., Elagoz S.
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
, cilt.92, ss.210-216, 2016 (SCI-Expanded)
2014
201442. Structural and electrical properties of nitrogen-doped ZnO thin films
Tuzemen E., Kara K., ELAGÖZ S., TAKCI D. K., ALTUNTAŞ İ., ESEN R.
APPLIED SURFACE SCIENCE
, cilt.318, ss.157-163, 2014 (SCI-Expanded)
2011
201143. In Concentration Dependence of Shallow Impurity Binding Enegry Under The Hydrostatic Pressure
BAŞER P., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
Marmara Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi , cilt.23, sa.4, ss.171-180, 2011 (Hakemli Dergi)
Hakemli Bilimsel Toplantılarda Yayımlanmış Bildiriler
2022
20221. Comprehensive Growth and Characterization Study of GeOx/Si
Baghdedi D., Hopoğlu H., Sarıtaş S., Demir İ., Altuntaş İ., Abdelmoula N., et al.
5 th International Conference on Physical Chemistry & Functional Materials, Sivas, Türkiye, 23 - 25 Haziran 2022, ss.37, (Özet Bildiri)
2022
20222. Reflectance properties of Geo2 films grown on P-Si substrate deposited by Magnetron Sputtering
Baghdedi D., Hopoğlu H., Sarıtaş S., Demir İ., Altuntaş İ., Abdelmoula N., et al.
3nd International Conference on Light and Light-based Technologies (ICLLT), Ankara, Türkiye, 25 - 27 Mayıs 2022, ss.1-2, (Özet Bildiri)
2022
20223. Dependence of film thicknesses on the XRD, AFM and Transmittance Properties of NiOx
Hopoğlu H., Kaya D., Akyol M., Demir İ., Altuntaş İ., Ekicibil A., et al.
3nd International Conference on Light and Light-based Technologies (ICLLT), Ankara, Türkiye, 25 - 27 Mayıs 2022, ss.1-2, (Özet Bildiri)
2022
20224. EFFECT OF V/III RATIO ON AlN THIN FILMS GROWN ON PATTERNED SAPPHIRE SUBSTRATE
Özbakır F. K., ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ.
the 13th International Scientific Research Congress, 11 - 12 Mart 2022, (Özet Bildiri)
2022
20225. Sputtered AlN for Distributed Bragg Reflectors Operating in the SWIR Wavelengths
Kaynar E., Hopoglu H., ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., SAYRAÇ M., Tüzemen E., et al.
Novel Optical Materials and Applications, NOMA 2022, Maastricht, Hollanda, 24 - 28 Temmuz 2022, (Tam Metin Bildiri)
2021
20216. The Effect of Growth Temperature on the Electrical Properties of Carbon-doped AlxGa1-xAs Grown by MOVPE
Kekül R., Altuntaş İ., Demir İ.
9th International Advanced Technologies Symposium (IATS'21), Elazığ, Türkiye, 27 - 28 Ekim 2021, ss.280-283, (Tam Metin Bildiri)
2021
20217. The Effect of Growth Temperature on the Electrical Features of Carbon-doped AlxGa1-xAs Grown by MOVPE
Kekül R., ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ.
9TH INTERNATIONAL ADVANCED TECHNOLOGIES SYMPOSIUM (IATS'21), 27 - 28 Ekim 2021, (Tam Metin Bildiri)
2021
20218. Effect of Al Ratio on Optical and Structural Properties of MOCVD Grown AlGaAs/GaAs Epitaxial Structures
Kaynar E., ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ.
9TH INTERNATIONAL ADVANCED TECHNOLOGIES SYMPOSIUM (IATS'21), 27 - 28 Ekim 2021
2021
20219. Influence of Pressure on ZnO/Al2O3 Produced by RF Magnetron Sputtering on Glass Substrate
Hopoğlu H., Aydınoğlu H., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ŞİMŞİR M., ŞENADIM TÜZEMEN E.
9TH INTERNATIONAL ADVANCED TECHNOLOGIES SYMPOSIUM (IATS'21), 27 - 28 Ekim 2021, (Tam Metin Bildiri)
2021
202110. Investigation of the Optical Properties of the Exponential Confinement GaAs/AlGaAs Quantum Well Under Applied External Fields
ALTUNTAŞ İ.
The 11th International Scientific Research Congress, 20 - 21 Ağustos 2021, (Özet Bildiri)
2021
202111. The influence of the different arsine flows on the properties of InGaAs layer grown on InP substrate by MOVPE
ALTUNTAŞ İ.
2. INTERNATIONAL ENGINEERING AND ARCHITECTURE CONGRESS, 22 - 23 Mayıs 2021, (Özet Bildiri)
2020
202012. MOVPE PALE Tekniği ile Safir Üzerine Si Katkılı AlN’ın Epitaksiyel Büyütülmesi ve Karakterizasyonu
Pürlü K. M., Perkitel İ., Altuntaş İ., Demir İ.
9. Uluslararası Bilimsel Araştırmalar Kongresi, Fen ve Mühendislik Bilimleri, Ankara, Türkiye, 12 - 13 Aralık 2020, ss.167, (Özet Bildiri)
2020
202013. Çekirdeklenme Tabakası Sıcaklığının MOCVD Yöntemi İle Büyütülen AlN İnce Filmlerin Kristal Kalitesi Üzerindeki Etkisi
Şimşek İ., Yolcu G., Koçak M. N., Altuntaş İ., Demir İ.
9. Uluslararası Bilimsel Araştırmalar Kongresi, Fen ve Mühendislik Bilimleri, Ankara, Türkiye, 12 - 13 Aralık 2020, ss.417-426, (Tam Metin Bildiri)
2020
202014. Si (111) Alttaşı Üzerine Büyütülmüş AIN İnce Filmlerin Spektroskopik Elipsometri Tekniği İle Optik Karakterizasyonu
Karakuş İ., Altuntaş İ., Demir İ.
9. Uluslararası Bilimsel Araştırmalar Kongresi, Fen ve Mühendislik Bilimleri, Ankara, Türkiye, 12 - 13 Aralık 2020, ss.125, (Özet Bildiri)
2020
202015. PECVD grown SiN photonic crystal micro-domes for the light extraction enhancement of GaN LEDs
Genç M., Sheremet V., Altuntaş İ., Demir İ., Gür E., Elagöz S., et al.
Conference on Gallium Nitride Materials and Devices XV, San-Francisco, Kostarika, 4 - 06 Şubat 2020, cilt.11280, (Tam Metin Bildiri)
2018
201816. Annealing effect on optical and electrical properties of p-GaN
ALTUN D., ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., GÜR E., ELAGÖZ S.
International Eurasian Conference on Science, Engineering and Technology (EurasianSciEnTech 2018), 22 - 23 Kasım 2018, (Özet Bildiri)
2018
201817. Defect Reduction in GaN Epilayer With Different V/III Ratio Grown On Patterned Sapphire Substrate
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., KIZILBULUT A. A., Bulut B., ELAGÖZ S.
International Congress on Engineering and Architecture (ENAR-2018), 14 - 16 Kasım 2018, (Özet Bildiri)
2018
201818. Pulsed MOVPE Growth of High Quality AlGaN epilayers for Ultraviolet LED Applications
DEMİR İ., McClintock R., KOÇAK Y., ALTUNTAŞ İ., KASAPOĞLU A. E., GÜR E., et al.
European Conference on Laser Optics Photonics, 16 - 17 Temmuz 2018, (Özet Bildiri)
2018
201819. Growth and characterization of epitaxially grown GaN layer on patterned sapphire substrate
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., KIZILBULUT A. A., Bulut B., ELAGÖZ S.
Lasers Optics Photonics and Atomic Plasma Science, 16 - 17 Temmuz 2018, (Özet Bildiri)
2018
201820. Comprehensive comparison of epitaxially grown GaN layer grown on conventional sapphire and patterned sapphire substrate
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., KIZILBULUT A. A., Bulut B., ELAGÖZ S.
19th World Congress on Materials Science and Engineering, 11 - 13 Temmuz 2018, (Özet Bildiri)
2018
201821. Enhancement in blue LEDs with step graded electron injectors by InGaN stress compensation layers
Sheremet V., Gheshlaghi N., Sözen M., Elçi M., Sheremet N., AYDINLI A., et al.
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), 3 - 08 Haziran 2018, (Özet Bildiri)
2018
201822. GROWTH AND CHARACTERIZATION STUDY ON STRAIN BALANCED QUANTUM CASCADE LASER STRUCTURES
DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
4th International Conference on Engineering and Natural Sciences (ICENS), 2 - 06 Mayıs 2018, (Özet Bildiri)
2018
201823. EFFECT OF V/III RATIO ON C-PLANE GAN LAYERS WITH TWO STAGES HT-GAN
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., ELAGÖZ S.
4th International Conference on Engineering and Natural Sciences (ICENS), 2 - 06 Mayıs 2018, (Özet Bildiri)
2018
201824. Defect Reduction of Epitaxially Grown GaN Layer on Patterned Sapphire Substrate
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., KIZILBULUT A. A., BULUT B., ELAGÖZ S.
UV LED Technologies & Applications ICULTA -2018, 22 - 25 Nisan 2018, (Özet Bildiri)
2017
201725. High quality nitride materials (AlN and AlGaN) on Si and sapphire substrates and UV-LED applications
DEMİR İ., Li H., Robin Y., McClintock R., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S., et al.
8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics Photonics, LasVegas, Amerika Birleşik Devletleri, 15 - 17 Kasım 2017, cilt.4, ss.149, (Özet Bildiri)
2017
201726. The Effects of Two Stages GaN Growth with Different V/III Ratios During 3D-2D Transition
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., ELAGÖZ S.
8th International Conference and Exhibition on LASERS, OPTICS PHOTONICS, Las Vegas, Amerika Birleşik Devletleri, 15 - 17 Kasım 2017, (Özet Bildiri)
2017
201727. The Influences of Carrier Gas Flow on Crystal Quality of GaN
DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., Bulut B., ELAGÖZ S.
Turkish Physical Society 33rd International Physics Congress, Bodrum/Muğla, Türkiye, 6 - 10 Eylül 2017
2017
201728. Simulation of Highly Reflective GaN/AlxGa1-xN DBR Structure for UV-Blue LEDs
ALAYDİN B. Ö., ALTUNTAŞ İ., ŞENADIM TÜZEMEN E., ELAGÖZ S.
4th INTERNATIONAL CONFERENCE ON MATERIALS SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY FOR NEXT GENERATION (MSNG2017), 28 - 01 Haziran 2017, (Özet Bildiri)
2017
201729. Growth of High Quality InGaN/GaN Multi Quantum Well via MOCVD and Introducing a Technique for Precise Thickness Determination
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., ELAGÖZ S.
17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxt (EW-MOVPE17), Greonable, Fransa, 18 - 21 Haziran 2017, (Özet Bildiri)
2017
201730. Using Source Delay Technique to Grow High Quality InAlAs/InGaAs superlattices by MOCVD
DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxt (EW-MOVPE17), Greonable, Fransa, 18 - 21 Haziran 2017, (Özet Bildiri)
2017
201731. Optical Comparison of MOCVD Grown GaN Layers on Flat and Patterned Sapphire Substrates
DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., KIZILBULUT A. A., BULUT B., ELAGÖZ S.
III International Conference on Engineering and Natural Science (ICENS), Budapest, Macaristan, 3 - 07 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)
2017
201732. STUDY OF DEFECTS IN GAN EPILAYER GROWN ON PATTERNED SAPPHIRE SUBSTRATE
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., KIZILBULUT A. A., BULUT B., ERKUŞ M., ÇETİNKAYA A. O., et al.
III International Conference on Engineering and Natural Science (ICENS), Budapest, Macaristan, 3 - 07 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)
2017
201733. Improved GaN Quality by Two Stages Ammonia Flow
DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., BULUT B., KIZILBULUT A. A., ELAGÖZ S.
III International Conference on Engineering and Natural Science (ICENS), Budapest, Macaristan, 3 - 07 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)
2017
201734. Structural Comparison of Epitaxially Grown GaN Layer on Conventional Sapphire and Patterned Sapphire Substrates
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., KIZILBULUT A. A., BULUT B., ELAGÖZ S.
III International Conference on Engineering and Natural Science (ICENS), Budapest, Macaristan, 3 - 07 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)
2017
201735. Structural Comparison Of Epitaxially Grown Gan Layer On Conventional Sapphire And Patterned Sapphire Substrate
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., KIZILBULUT A. A., BULUT B., ELAGÖZ S.
3rd International Conference On Engineering And Natural Science Uluslararası, Makedonya, 05 Mayıs 2017, (Özet Bildiri)
2016
201636. High Quality InGaAs InAlAs Superlattices Growth by MOCVD
DEMİR İ., Alaydın B. Ö., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
3th International Nanoscience and Nanotechnolgy for Next Generation, 20 - 23 Ekim 2016
2016
201637. The Effects of Carrier Gas on 3D 2D Transition of GaN
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., KIZILBULUT A. A., BULUT B., ELAGÖZ S.
3th International Nanoscience and Nanotechnolgy for Next Generation, Antalya, Türkiye, 20 - 23 Ekim 2016
2016
201638. High Quality InGaAs/InAlAs Superlattices Growth by MOCVD
DEMİR İ., ALAYDİN B. Ö., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
3th NANOSCIENCE NANOTECHNOLOGY FOR NEXT GENERATION, 1 - 03 Ekim 2016, (Özet Bildiri)
2016
201639. THE EFFECTS OF NUCLEATION LAYER THICKNESS ON QUALITY OF GAN FILM
KIZILBULUT A. A., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
Türk Fizik Derneği 32. Uluslararası Fizik Kongresi (TFD32), Muğla/Bodrum, Türkiye, 6 - 09 Eylül 2016
2016
201640. Effect of Recrystallization Time on Two Steps MOCVD Grown GaN
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., ELAGÖZ S.
Turkish Physical Society 32nd International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 6 - 09 Eylül 2016
2016
201641. EFFECT OF RECRYSTALLIZATION TIME ON TWO STEP MOCVD GROWN GAN
ALTUNTAŞ İ., DEMİR İ., ELAGÖZ S.
Türk Fizik Derneği 32. Uluslararası Fizik Kongresi (TFD32), Muğla/Bodrum, Türkiye, 6 - 09 Eylül 2016
2016
201642. AMMONIA PRE FLOW EFFECTS IN GROWTH OF EPITAXIAL GAN ON SAPPHIRE SUBSTRATE
BULUT B., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
Türk Fizik Derneği 32. Uluslararası Fizik Kongresi (TFD32), Muğla/Bodrum, Türkiye, 6 - 09 Eylül 2016
2016
201643. A SYSTEMATICAL STUDY OF NUCLEATION LAYER GROWTH TEMPERATURE EFFECTS OF GaN BUFFER LAYER
ALTUN D., DEMİR İ., ŞENADIM TÜZEMEN E., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
Türk Fizik Derneği 32. Uluslararası Fizik Kongresi (TFD32), 6 - 09 Eylül 2016
2016
201644. A systematical study of nucleation layer growth temperature effectrs of GaN Buffer Layer
ALTUN D., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S., ŞENADIM TÜZEMEN E.
TFD32, Türk Fizik Derneği 32. Uluslararası Fizik Kongresi 6-9 Eylül 2016, Muğla Bodrum, 6 - 09 Eylül 2016, (Özet Bildiri)
2016
201645. Determine The refractive Index of Wurtzite GaN On Sapphire By Spectroscopic Ellipsometry
KIZILBULUT A. A., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
16th International Balkan Workshop on Applied Physics and Materials Science (IBWAP 2016), Constanta, Romanya, 6 - 09 Temmuz 2016
2015
201546. Hydrgenic Impurity Dround Srare in GaAs GaInAs Single Quantum Well Structures
BAŞER P., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
9th International Physics Conference of The Balkan Physical Union-BPU9, 24 - 27 Ağustos 2015, (Özet Bildiri)
2015
201547. Research for Optimizing Growth Conditions of Gallium Nitride Epilayers for Blue LED Structures Grown by MOCVD
B Özgür A., Alev K., ALTUNTAŞ İ., Baris B., Yalçınkaya M., ELAGÖZ S.
9th Internationla Physics Conference Of The Balkan Physical Union-BPU9, 24-27 aUGUST 2015, 24 - 27 Ağustos 2015, (Özet Bildiri)
2015
201548. HYDROGENİC IMPURİTY GROUND STATE İN GaAS GAInAs Single Quantum Well Structures
BAŞER P., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
9th Internationla Physics Conference Of The Balkan Physical Union-BPU9, 24-27 aUGUST 2015, 24 - 27 Ağustos 2015, (Özet Bildiri)
2015
201549. Growth Studies Of Lattice Matched GaInAs and AlInAs Layers for Quantum Cascade Laser by MOCVD
ALTUNTAŞ İ., BULUT B., DEMİR İ., ELAGÖZ S.
9th Internationla Physics Conference Of The Balkan Physical Union-BPU9, 24-27 aUGUST 2015, 24 - 27 Ağustos 2015, (Özet Bildiri)
2014
201450. MOCVD İLE BÜYÜTÜLEN GE/INGAAS YAPISININ YÜKSEK ÇÖZÜNÜRLÜKLÜ X-IŞINI KIRINIMI İLE KARAKTERİZASYONU
KIZILBULUT A. A., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
Adım Fizik Günleri III, Isparta, Türkiye, 17 Nisan 2014, (Özet Bildiri)
2013
201351. GROWTH TEMPERATURE EFFECTS ON SURFACE MORPHOLOGY OF EPITAXIAL GAAS LAYERS GROWN BY MOCVD
BALCI M., BOZ M. A., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
30th INTERNATIONAL PHYSICS CONGRESS, 2 - 05 Eylül 2013, (Tam Metin Bildiri)
2013
201352. Epitaxial Growth by Metal Organic Chemical Vapor Deposition MOCVD and Structural Characterization of GaAs Films on Ge Substrates
DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ALAYDİN B. Ö., BOZ M. A., KARKI H. D., ELAGÖZ S.
NanoTR 9, 24 - 28 Temmuz 2013, (Tam Metin Bildiri)
2013
201353. Structural and electrical properties of nitrogen doped ZnO thin films
ŞENADIM TÜZEMEN E., KARA K., ELAGÖZ S., TAKCI D. K., ALTUNTAŞ İ.
Nanotr-9-Erzurum, 24 - 28 Haziran 2013, (Tam Metin Bildiri)
2013
201354. EPİTAXİAL GROWTH BY METAL ORGANİC VAPOR DEPOSİTİON (MOCVD) AND STRUCTURAL CHARACTERİZATİON OF GAAS FİLMS ON GE SUBSTRATES
DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ALAYDİN B. Ö., KIZILBULUT A. A., ELAGÖZ S.
Nano-tr 9, Erzurum, Türkiye, 28 Haziran 2013, (Özet Bildiri)
2013
201355. Specular reflectance spectra of GaAs on Ge substrate grown by MOCVD
KIZILBULUT A. A., ŞENADIM TÜZEMEN E., DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., DİDEM B., KARKI H. D., et al.
Nanotr-9-Erzurum, 24 - 28 Haziran 2013, (Tam Metin Bildiri)
2013
201356. The effect of growth rate with constant V/III ratio to the crystal quality of GaAs grown by MOCVD
DEMİR İ., ALTUNTAŞ İ., ALAYDİN B. Ö., ELAGÖZ S., KARKI H. D.
9th Nanoscience and Nanotechnology Conference (Nano TR-9), 24 Haziran 2013 - 28 Haziran 2018, (Özet Bildiri)
2013
201357. SPECULAR REFLECTANCE SPECTRA OF GAAS ON GE SUBSTRATES GROWN BY MOCVD
KIZILBULUT A. A., ŞENADIM TÜZEMEN E., ALAYDİN B. Ö., ALTUNTAŞ İ., ELAGÖZ S.
Nano-tr 9, Erzurum, Türkiye, 24 Haziran 2013, (Özet Bildiri)
Desteklenen Projeler
2023 - 2024
2023 - 2024Lazer Diyot Yapısı Epitaksiyel Büyütme Süreçlerinin Geliştirmesi Projesi
Diğer Özel Kurumlarca Desteklenen Proje
(Proje Özeti)
Altuntaş İ., Yolcu G., Demir İ. (Yürütücü)
2021 - 2023
2021 - 2023Telekomünikasyon uygulamaları için Si/AlN ayna geliştirilmesi ve optik analizi
Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje , BAP Araştırma Projesi
Alaydin B. Ö. (Yürütücü), Şenadım Tüzemen E., Demir İ., Altuntaş İ.
2020 - 2023
2020 - 2023Kısa Dalgaboyu Kızılötesi (SWIR) Epikatman Geliştirilmesi
Şirket
Demir İ. (Yürütücü), Altuntaş İ.
2019 - 2022
2019 - 2022Saçtırma ve Isısal Buharlaştırma Yöntemleriyle Metal Oksit Malzemelerin Elde Edilmesi ve Karakterizasyonu
Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje , BAP Güdümlü
Demir İ., Şenadım Tüzemen E. (Yürütücü), Altuntaş İ., Şimşir M.
2019 - 2021
2019 - 2021Yüksek Güç-Frekans Uygulamaları İçin MOCVD ile Epitaksiyel AlN Kristalinin Büyütülmesi, Katkılanması, Karakterizasyonu ve Aygıt Üretimi
TÜBİTAK Projesi , 1001 - Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı
Demir İ. (Yürütücü), Altuntaş İ., Gür E., Şenadım Tüzemen E., BAŞER P., SARİ H.
2017 - 2021
2017 - 2021Vcsel Tabanlı Yüksek Güçlü Yarıiletken Lazerler TÜBİTAK-1003 - Öncelikli Alanlar 116F365
TÜBİTAK Projesi , 1003 - Öncelikli Alanlar Ar-Ge Projeleri Destekleme Programı
Şenadım Tüzemen E., Başer P. (Yürütücü), Altuntaş İ.
2018 - 2019
2018 - 2019Desenlendirilmiş safir alttaş üzerine farklı büyütme sürelerine sahip iki aşamalı yüksek sıcaklık GaN tabakasının MOCVD ile büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu
Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje , BAP Araştırma Projesi
(Proje Özeti)
Altuntaş İ. (Yürütücü)
2018 - 2019
2018 - 2019Nanoteknoloji Mühendisliği Öğrencilerinin Nanoölçekli Malzemelerin Üretim ve Karakterizasyonu Alanlarında Aktif Çalışmalarının Akademik Gelişimlerine Etkisi RGD-017
Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje , BAP Güdümlü
Sözmen F. (Yürütücü), Kul M., Şimşir M., Demir İ., Altuntaş İ., Öztürk O.
2016 - 2019
2016 - 2019Akıllı Ekranlarda Arka Aydınlatma İçin Yüksek Verimli LED'lerin Tasarım, Üretim ve Karakterizasyonu
TÜBİTAK Projesi , 1003 - Öncelikli Alanlar Ar-Ge Projeleri Destekleme Programı
Demir İ., Elagöz S. (Yürütücü), Altuntaş İ., Şenadım Tüzemen E.
2015 - 2018
2015 - 2018LED Çip Prototipi Geliştirilmesi
TÜBİTAK Projesi , 1007 - Kamu Kurumları Araştırma ve Geliştirme Projelerini D.P.
Demir İ., Elagöz S. (Yürütücü), Altuntaş İ., Şenadım Tüzemen E.
2012 - 2017
2012 - 2017Kısa Dalga Boyu Kızılötesi (SWIR) Dedektör Projesi (KANGAL)
Savunma Sanayi Başkanlığı Destekli Proje
Demir İ., Elagöz S. (Yürütücü), Altuntaş İ., Şenadım Tüzemen E., Çağlayan M. O.