Yayınlar & Eserler

Makaleler 71
Tümü (71)
SCI-E, SSCI, AHCI (66)
SCI-E, SSCI, AHCI, ESCI (66)
Scopus (67)
TRDizin (5)
Hakemli Bilimsel Toplantılarda Yayımlanmış Bildiriler 13

1. Cavity Design and Efficiency In Optical Pumped High Power Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers (VECSEL) In The 950-1050 Nm Wavelength Range

6. Uluslararası Azerbaycan Fen, Mühendislik, Matematik ve Uygulamalı Bilimler Kongresi, Baku, Azerbaycan, 20 Mart 2024, (Özet Bildiri)

2. Dependence on Well Widths of the Electronic Features of Triple GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs Quantum Wells

5th International Conference on Materials Science and Advanced-Nanotechnologies For Next Generation (MSNG-2018), Nevşehir, Türkiye, 4 - 06 Ekim 2018, (Özet Bildiri)

3. Electronic characteristics of triple GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells depending on Al and In concentration

5th International Conference on Materials Science and Advanced-Nanotechnologies For Next Generation (MSNG-2018), 4 - 06 Ekim 2018, (Özet Bildiri)

4. Second-Harmonic Generation Susceptibility in Asymmetric Triple Delta-Doped GaAs Structures

5th International Conference on Materials Science and Advanced-Nanotechnologies For Next Generation (MSNG-2018) , Nevşehir, Türkiye, 4 - 06 Ekim 2018, ss.309, (Özet Bildiri)

5. Electronic characteristics of triple GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells depending on Al and In concentration

5th International Conference on Materials Science and Advanced-Nanotechnologies For Next Generation (MSNG-2018) , Nevşehir, Türkiye, 4 - 06 Ekim 2018, ss.308, (Özet Bildiri)

6. Effect of electric field on intersubband second order nonlinear transitions in single, double and triple delta-doped GaAs structures

4th International Conference on Engineering and Natural Sciences (ICENS-2018) Kiev, UKRAYNA, Kyyiv, Ukrayna, 2 - 06 Mayıs 2018, ss.624-629, (Tam Metin Bildiri)

7. Depending on Al and In concentration of the electronic properties of asymmetric double GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells

4th International Conference on Engineering and Natural Sciences (ICENS-2018) , Kyyiv, Ukrayna, 2 - 06 Mayıs 2018, ss.630-635, (Tam Metin Bildiri)

8. Second Order Nonlinear Intersubband Transitions in Double Delta Doped GaAsStructures

MSNG 2017, Sarajevo, Bosna-Hersek, 28 - 30 Haziran 2017, ss.247, (Özet Bildiri)

10. Nonlinear transitions in single double and triple doped GaAs structures

16th International Balkan Workshop on Applied Physics and Materials Science (IBWAP 2016), Constanta, Romania , Constanta, Romanya, 7 - 09 Temmuz 2016, (Özet Bildiri)

11. N katkılı çift simetrik Ga1 xAlxAs GaAs kuantum kuyularının elektronik özellikleri üzerinde engel genişliğinin etkisi

10. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı 14 Kasım 2003, Hacettepe Üni., ANKARA., Türkiye, 14 Kasım 2003, (Tam Metin Bildiri)

12. Katkılı tabakalar arasındaki uzaklığa bağlı olarak çift Si delta katkılı GaAs

8. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı: Bilkent Üniversitesi, Ankara., Türkiye, 09 Kasım 2001, (Tam Metin Bildiri)

13. In-plane photoconductive properties in Si delta-doped GaAs structure

V. International Workshop on Low Dimensional Semiconductors: Physics and Devices; Scattering Mechanism and Device Performance, Antalya, Türkiye, 08 Eylül 1998, ss.27, (Özet Bildiri)
Kitaplar 1
Metrikler

Yayın

85

Yayın (WoS)

66

Yayın (Scopus)

67

Atıf (WoS)

816

H-İndeks (WoS)

19

Atıf (Scopus)

999

H-İndeks (Scopus)

19

Atıf (Sobiad)

129

H-İndeks (Sobiad)

5

Proje

12

Tez Danışmanlığı

4

Açık Erişim

11
BM Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları